根据半导体材料(512480)专家莫大康的介绍,随着工艺的微缩,制造厂商不得不使用多重图形化与光刻方案加以应对,这导致工艺步骤的增加与生产成本的上升,有效的解决方案是运用EUV光刻技术。半导体材料(512480)行业一直在预备以EUV光刻机技术实现10纳米级规模的工艺。“使用 EUV,可以获得更好的图形保真。因为假如掩模层堆叠得越多,获得的图像就越模糊。如投资美股”VLSI Research 首席履行Dan Hutcheson亦表达。
目前,三大DRAM原厂均已先后进入EUV DRAM销售市场。2020年三月,三星便推出业界首款基于EUV的10纳米级DDR4 DRAM 模块;今年10月三星宣布将使用EUV的层数增加至5层,进一步减少了工艺步骤。今年7月,SK海力士运用EUV工艺量产第4代(1a级别)DDR DRAM。美光亦于日前表达在今年年底在钻研设施中安装EUV光刻设备,将把新设备应用于量产线进行实验,然后再正式投入量产。美光在三大储备器原厂中对运用EUV相对保守。2022年DRAM有望全方位进入EUV时代。